您现的位置:首页 > 数据库检索 > 中文期刊 

高压SiC功率半导体器件的发展现状与挑战

加收藏
  • 【题名】:高压SiC功率半导体器件的发展现状与挑战
  • 【年份】:2020
  • 【作者】:李许军,坚葆林
  • 【关键词】:集成电路制造  碳化硅  功率器件
  • 【摘要】:传统硅材料器件在高温、高压、高开关频率等诸多应用领域受到限制,而以碳化硅SiC为代表的新型宽禁带半导体材料出现,突破了电力电子器件的发展瓶颈,成为未来功率半导体器件发展的必然趋势。探讨高压SiC器件的发展和现状,通过SiC材料和硅材料的性能比较,分析SiC的优点,以及SiC器件在变换器设计中应用的技术和面临挑战。
  • 【期刊名】:集成电路应用
  • 【分类号】:TN303
  • 【期号】:第2期
  • 【作者简介】:李许军,甘肃机电职业技术学院,副教授,硕士,研究方向:电子测量技术;坚葆林,甘肃机电职业技术学院,副教授,研究方向:智能控制系统、电子设计。
  • 【作者单位】:甘肃机电职业技术学院
  • 【页码】:30-33
相关文献
从行业现状谈招标代理机构面临挑战发展方向
区块链技术推动现代物流创新发展现状对策分析
清创技术发展临床应用现状
“互联网+”背景下农村教育发展机遇挑战
建筑施工企业发展装配式建筑产业面临优势挑战
经济新常态视域下互联网金融发展机遇挑战探析
新高考改革背景下教师专业发展挑战对策
大数据对云南农业发展机遇挑战研究
高校音乐教育专业声乐教学发展现状及对策研究——评《高校声乐教学音乐教育研究》
国外高校在线硕士教育发展现状趋势
获取此文方式
CNKI期刊
下载请求:
   

说明:点击”存到网盘“按钮即收取费用,重复点击不收费,如果下载失败,我们会自动转为文献传递方式处理,稍侯请关注您网盘上该文献的信息,从网盘上下载该文献不用重新付费。