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热压温度对Gd掺杂N型赝三元半导体材料热电性能的影响

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  • 【题名】:热压温度对Gd掺杂N型赝三元半导体材料热电性能的影响
  • 【年份】:2020
  • 【作者】:刘佳音,潘春光,王月媛,胡建民
  • 【关键词】:Gd掺杂  Bi2Te3  N型热电材料  热电性能
  • 【摘要】:采用机械合金化热压法制备N型Gd掺杂赝三元热电材料,XRD、SEM和霍尔效应测试结果表明,热压温度的升高有利于晶粒的聚集和生长;热电性能测试结果表明,随着热压温度的升高,Seebeck系数略有减小,电导率和热导率都逐渐增大.Gd的掺杂浓度为0.5 wt%、热压温度为200℃、压力为550 MPa条件下制备的N型Gd掺杂赝三元热电材料热电优值为2.11×10-3 K-1.
  • 【期刊名】:哈尔滨师范大学自然科学学报
  • 【分类号】:TB34;TN304
  • 【期号】:第1期
  • 【作者单位】:哈尔滨师范大学
  • 【页码】:58-61
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