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基于脉冲变压器隔离的MOSFET驱动电路的设计

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  • 【题名】:基于脉冲变压器隔离的MOSFET驱动电路的设计
  • 【年份】:2020
  • 【作者】:杨俊伟,翟娟
  • 【关键词】:MOSFET管  隔离驱动电路  脉冲变压器隔离  参数设计
  • 【摘要】:MOSFET因为其控制方式较为简单,输入阻抗较高,噪声低,热稳定性好,寿命较长等优点,被广泛应用在中小功率和高频开关电路中。本文围绕其驱动电路展开研究,了解驱动电路的基本需求后,设计了一种利用脉冲变压器进行隔离的MOSFET驱动电路,给出驱动电路具体参数设计并进行了详细的阐述。最后在搭建实际模型电路并进行验证,实验数据进一步验证了整个驱动电路可满足预期指标,占空比可调节范围广,响应速度可达100kHz,且电路还具有隔离保护功能,因此在工业生产中有一定的实际意义。
  • 【期刊名】:电子设计工程
  • 【分类号】:TN386
  • 【期号】:第12期
  • 【作者简介】:杨俊伟(1990—),男,江苏扬州人,硕士,讲师。研究方向:电力电子与电力传动。
  • 【作者单位】:扬州大学广陵学院
  • 【页码】:188-193
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